南韓三星電子14日宣布，將在2021年推出突破性的晶片3奈米製程「環繞式閘極結構」（Gate-All-Around，GAA）技術，重新設計電晶體底層結構，號稱將可提升速度性能35%，使用空間減少45%，電力消耗減少50%。

科技網站CNET報導，三星在三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum）中表示，GAA技術將是三星與台積電、英特爾競爭中的重要一步，重新設計晶片核心的電晶體，使電晶體更小、更快。近年來，晶片製造業者都苦於克服晶片最小化的工程挑戰。

International Business Strategies執行長Handel Jones指出，三星的材料研究計畫正開始獲得回報；他說：「三星在GAA技術方面已經超越台積電，可能領先達12個月。英特爾可能落後三星兩到三年。」

報導指出，三星的GAA可望使摩爾定律延續，讓智慧手機、智慧手錶、智慧汽車和智慧住家更聰明。三星晶圓事業行銷副總裁Ryan Lee說：「GAA技術將代表我們的晶片事業進入新年代。」